有機薄膜電晶體之製備方法及修復方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098131185

專利證號

I 408840

專利獲證名稱

有機薄膜電晶體之製備方法及修復方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2013/09/11

技術說明

降低有機薄膜電晶體元件製作成本與提升其元件性能是不變的研發趨勢。本研究利用紅外線修復有機半導體,使其具有高的電子特性.此方法亦可用於其他有機半導體層.此方法可將有機薄膜電晶體製作在軟性或硬性基板上，具有製作簡易、製程溫度低、低製作成本、製程環保及可大面積化等優點，極具產業價值。降低有機薄膜電晶體元件製作成本與提升其元件性能是不變的研發趨勢。本研究利用紅外線修復有機半導體,使其具有高的電子特性.降低有機薄膜電晶體元件製作成本與提升其元件性能是不變的研發趨勢。本研究利用紅外線修復有機半導體,使其具有高的電子特性

備註

本部(收文號1050048245)同意該校105年7月11日清智財字第1059003575號函終止維護專利19件(清華)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

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