異質接面雙極性電晶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095119154

專利證號

I 310609

專利獲證名稱

異質接面雙極性電晶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2009/06/01

技術說明

本發明揭露了一種具有步階式集極層結構之異質接面雙極性電晶體。此元件結構之特徵主要係於基極層與集極層間導入一由四 元化合物砷化銦鋁鎵材料所構成之步階式集極層結構，使基-集極接面位障尖峰減緩；再者，此四元化合物砷化銦鋁鎵所構成之 步階式集極層結構係由不同大小能隙之複數步階層所組合而成，而此複數步階層之排列係自基極層往集極層方向而逐漸增加其 能隙之值，且此些複數步階層之能隙係值係大於基極層之能隙值且小於集極層之能隙值，故整體集極層之有效能隙值可獲得提 升，進而提升電晶體之最大崩潰電場及崩潰電壓。另一方面，元件結構另一特徵即設置一背置層於射極層與基極層之間，使基- 射極接面位障尖峰減緩。由這些設計，可減緩異質接面之位障尖峰，有效提升射極注入效率且降低補償電壓及導通電壓。

備註

本部(收文號1060027134)同意該校106年4月25日成大研總字第1064500318號函申請終止維護專利

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