具優先取向紋理的離子交換薄膜

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

104108425

專利證號

I 549754

專利獲證名稱

具優先取向紋理的離子交換薄膜

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2016/09/21

技術說明

本發明藉由奈米粒子於強電場下的誘導產出高性能高強度抗甲醛篡透的質子半透膜。在薄膜鑄造的過程中施加強力電場誘導低維奈米無機物在高分子中產生順向性排列形成高度有序奈米孔道結構。此一長程有序結構在高分子與無機物介面產生高度順向排列的親水通道，提供一個更直接有效的質子傳導路徑並大幅增加了離子導電度。所形成之質子半透膜具有較小的孔徑抵抗甲醛竄透，而疏水區具有較高的結晶度提高膜材的機械強度。使用具高度順向離子傳輸管道結構質子半透膜的燃料電池輸出功率明顯獲得改進。

備註

本部(收文號1100029721)同意該校110年5月25日中大研產字第1101400630號函申請終止維護專利(中央)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

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