以金奈米粒子輔助成長半導體量子點的製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092136823

專利證號

I 253480

專利獲證名稱

以金奈米粒子輔助成長半導體量子點的製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2006/04/21

技術說明

本發明提供一種以金奈米粒子輔助成長半導體量子點的製作方法。上述方法包括提供一基底 並形成一氧化層於該基底上。接著，形成一金屬奈米粒子於該氧化層上。然後，以金屬奈米 粒子為催化劑，進行高密度電漿化學氣相沉積步驟，於該氧化層上製作半導體量子點。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址