OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING A BIPOLAR PHOTOTRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

16/541,156

專利證號

US 11,011,666 B2

專利獲證名稱

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING A BIPOLAR PHOTOTRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣科技大學

獲證日期

2021/05/18

技術說明

以三族氮化物發光二極體磊晶結構的晶圓製作光電晶體的方法，可以只做光電晶體或與發光二極體積體化。特色是高響應率、低成本與可積體化。(This is a novel method to fabricate III-nitride phototransistors alone or integrated with light-emitting diodes on a light-emitting-diode epitaxial wafer. The advantages include high responsivity, low cost and capability of integration.)

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

連絡電話

02-2733-3141#7346

網址