生化離子感測器

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094133542

專利證號

I 307771

專利獲證名稱

生化離子感測器

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2009/03/21

技術說明

本發明係提供二種生化離子感測器，其一係利用一種離子感應場效電晶體，結合酵素 與離子感測場效電晶體(Ion sensitive Field Effect Transistor, ISFET)，為基礎 所製成。其係整個閘極更替為稀土元素氧化層，或其他如IR02、Zn02、Ti02、W03等 Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ、Ⅳ-Ⅳ族的相關低阻抗材料，讓生化離子感測器具有更低的漏電流， 並可提升感測的效果及速度，由於稀土氧化層的特性，可使生化離子感測器具有低漏 電流，且生化離子感測器之感測效果相較於習知技術更為良好。 另一種生化離子感測器為延伸式離子感測場效電晶體(Extended gate ion sensitive field effect transistor, EGFET)其係將MOSFET的閘極部份延伸出來獨 立形成感測區，並和MOS電容元件本身分開，使MOS電容元件部份能重複使用，此結構 將適用於可拋棄式之生醫感測器，進一步使EGFET朝向商品化發展。

備註

本部(收文號1050015995)同意該校105年2月26日長庚大字第1050020336號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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