拉曼檢測晶片、其製造方法及運用該拉曼檢測晶片之拉曼光譜檢測系統

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

111116350

專利證號

I 800366

專利獲證名稱

拉曼檢測晶片、其製造方法及運用該拉曼檢測晶片之拉曼光譜檢測系統

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2023/04/21

技術說明

【中文】 一種拉曼檢測晶片、其製造方法及運用該拉曼檢測晶片之拉曼光譜檢測系統。本發明之拉曼檢測晶片包含基材、複數根奈米線以及複數個三維樹枝狀奈米金屬結構。基材具有凹陷。凹陷具有圓形開口以及圓形底面。複數根奈米線係形成於圓形底面上且向上延伸。複數個三維樹枝狀奈米金屬結構係形成於複數根奈米線之複數個頂部上且延伸至圓形開口之外。 【英文】 A Raman detecting chip, a method of fabricating the same and a Raman spectroscopy detecting system. The Raman detecting chip according to the invention includes a substrate, a plurality of nano-wires and a plurality of three-dimensional dendritic metal nanostructures. The substrate has an access. The access has a circular opening and a circular bottom surface. The plurality of nona-wires are formed on the circular bottom surface and protrude upward. The plurality of three-dimensional dendritic metal nanostructures are formed on a plurality of tops of the plurality of nanowires and extend beyond the circular opening.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址