於碳化矽基板上形成絕緣層之方法、碳化矽電晶體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096125183

專利證號

I 335674

專利獲證名稱

於碳化矽基板上形成絕緣層之方法、碳化矽電晶體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2011/01/01

技術說明

一種於碳化矽基板上形成絕緣層之方法，包括下列步驟：提供一碳化矽基板；以及於不高於 200 °C之一液態環境中氧化該碳化矽基板並於其上形成一二氧化矽層。本發明亦提供了一種 碳化矽電晶體及其製造方法。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

網址