反堆積型薄膜電晶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095132324

專利證號

I 312193

專利獲證名稱

反堆積型薄膜電晶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2009/07/11

技術說明

目前主動式矩陣液晶顯示器(AMLCD)多以非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT)為開關元件以控制液晶 轉向進而顯示影像。在開關元件結構上，目前業界多以反堆積雙層薄膜電晶體(Inverted, staggered bi-layer TFT) 結構製作非晶矽薄膜電晶體。而在元件特性要求上，為了顧及灰階 保持時間與快速反應時間，因而對於開關元件則需要低關閉電流(off-current)以及高開關電 流比例(on/off current ratio)。

備註

本部(收文號1040021383)同意該校104年3月27日中產營字第1040001121號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

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