含矽薄膜及其光偵測器之製備方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093120296

專利證號

I268290

專利獲證名稱

含矽薄膜及其光偵測器之製備方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2006/12/11

技術說明

本發明揭示一種利用感應耦合電漿式化學氣相沈積技術製備含矽薄膜之方法。本發明首先供應一含矽氣體及氫氣至一反 應腔中,並施加一功率大於750瓦之射頻電力以將該反應腔中之氣體分解形成一感應耦合電漿,其中該感應耦合電漿之化 學沈積形成該含矽薄膜於一設置於該反應腔內之基板上。此外,亦可同時供應一含鍺氣體至該反應腔中以形成一矽鍺薄 膜於該基板上。由於感應耦合電漿之高解離率、低轟擊效應及易於各種表面成核結晶等特點，因此本發明可在低溫條件 下於各式基板上形成高品質之含矽薄膜，其中該基板之材質可為矽、氧化矽或金屬。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址