快閃記憶體結構及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

105143278

專利證號

I 621215

專利獲證名稱

快閃記憶體結構及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣師範大學

獲證日期

2018/04/11

技術說明

本發明係關於一種快閃記憶體結構及其製造方法。本發明之快閃記憶體結構包含一基板、一源極、一汲極、一通道絕緣層、一鐵電-電荷捕捉層、至少一阻擋絕緣層及至少一閘極。基板由一半導體材料製成。源極形成於基板上。汲極形成於基板上並與源極分隔開。通道絕緣層形成於基板上。鐵電-電荷捕捉層形成於通道絕緣層上，並包含一電荷捕捉層及一鐵電負電容效應層。至少一阻擋絕緣層形成於鐵電-電荷捕捉層上。至少一閘極形成於阻擋絕緣層上。鐵電負電容效應層由一具鐵電負電容效應材料製成。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作組

連絡電話

77341329

網址