氮化物異質接面場效電晶體之閘極長度縮短製程

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097146899

專利證號

I 406340

專利獲證名稱

氮化物異質接面場效電晶體之閘極長度縮短製程

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2013/08/21

技術說明

本發明提出一個可以有效縮短GaN-based HFETs閘極長度的方法。在閘極的製程上，首先使用低階的多重波長汞燈曝光儀器製作出微米等級的閘極長度，再配合本發明所提出的新式硝酸(HNO3)微縮閘極製程，藉此來獲得次微米閘極長度。而此硝酸微縮閘極製程所利用的原理是：GaN具有不易被酸鹼蝕刻的極佳化學穩定性、Ni/Au閘極金屬層的選擇性蝕刻。當元件的Ni/Au閘極金屬完成後，再將元件浸泡在硝酸數秒鐘，於是微米等級的閘極長度將被微縮成次微米等級。 本發明提出一個低成本、簡單、快速且高效能的次微米閘極製程。次微米閘極有效的改善了元件的直流與微波特性：飽和電流密度IDSS0、最大轉導值gm,max、夾止電壓Vpinch-off、電流增益截止頻率fT、最大震盪頻率fmax、最小雜訊NFmin，並且維持了優異的高功率特性。透過新式的硝酸微縮閘極製程，使得GaN-based HEMTs在未來微波領域的應用扮演更重要的角色。

備註

本部(收文號1050039975)同意該校105年6月7日成大研總字第1054500403號函申請終止維護專利55件(成功)

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