蕭基二極體之製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094138616

專利證號

I261362

專利獲證名稱

蕭基二極體之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

吳鳳學校財團法人吳鳳科技大學

獲證日期

2006/09/01

技術說明

一種新穎結構蕭基二極體之製造方法，具有精密邊緣終結結構之蕭基二極體，包含降低表面 電場型的側超接面結構、複晶矽護環與複晶矽浮接環等結構佈局。這些結構可提昇與調變蕭 基二極體的各項物理特性，如可增加崩潰電壓，降低漏電流密度，可調變順向偏壓與蕭基位 障的範圍等優越特性，故此蕭基二極體之製造方法於高頻微波及高功率元件上有廣泛使用之 價值。 In this invention, Schottky barrier diode (SBD) with sophisticated edge termination (ET) structures including p+-poly-Si guard ring, p+-poly-Si floating ring, and RESURF-type lateral super-junction (LSJ) is disclosed. The ET schemes employed in this work are aimed at reducing the surface electric field to have a breakdown voltage approaching the ideal value. Also, it was found that the device could suppress the leakage current, and adjust the forward voltage drop and Schottky barrier height (SBH). Thus, the disclosed device will be successfully applicable to the field of the microwave and high power devices.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

研發組

連絡電話

05-2267125轉21913

網址