可撓式氧化物單晶及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

109100792

專利證號

I 717968

專利獲證名稱

可撓式氧化物單晶及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2021/02/01

技術說明

一種可撓式氧化物單晶包含氧化物單晶層，此氧化物單晶層具有可撓曲性。 A flexible single-crystal oxide includes a single-crystal oxide layer which has flexibility.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

網址