具有非極性三族-氮化物層的多層結構及其製法MANUFACTURE METHOD OF MULTILAYER STRUCTURE HAVING NON-POLAR A-PLANE {11-20} Ⅲ-NITRIDE LAYER

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/468,138

專利證號

US 7,981,711 B2

專利獲證名稱

具有非極性三族-氮化物層的多層結構及其製法MANUFACTURE METHOD OF MULTILAYER STRUCTURE HAVING NON-POLAR A-PLANE {11-20} Ⅲ-NITRIDE LAYER

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2011/07/19

技術說明

一種具有非極性三族-氮化物層的多層結構及其製法，包括在基板上形成複數成核層，；以及 於該成核層上形成非極性三族-氮化物層，其中，各該複數成核層係獨立選自下式(I)之氮化物： AxB1-xN (I) 式中，A和B係選自B、Al、Ga、IN或Tl之不相同的元素，且0≦x≦1。該複數成核層可有效減緩應力、減少晶格位差、阻擋差排延伸並降低差排密度，故可形成表面平坦且結晶品質佳之三族-氮化物層。

備註

本部(收文號1080035227)同意該校108年6月4日交大研產學字第1081004865號函申請終止維護專利。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

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