奈米點浮置閘極之製造方法、奈米點記憶體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092130674

專利證號

231531

專利獲證名稱

奈米點浮置閘極之製造方法、奈米點記憶體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2005/04/21

技術說明

利用奈米點作為非揮發性記億體的載子儲存單元,可降低功率損耗,並可使記億元漸的可靠性 增加

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址