褶層型電容結構與製程方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

090113632

專利證號

I229445

專利獲證名稱

褶層型電容結構與製程方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2005/03/11

技術說明

本發明可以簡單的、經濟的、實用的製程程序來增加電容值，且相 較於目前應用於增加電容電極面積的製程方法，更有利於階梯覆 蓋，以提高製程的良率，且並無其他類似發明或專利，具備了專利 申請的利用性、新穎性、及進步性等條件。在IC製程上，相對於一 般增大電容面積的方法，如溝狀(trench)﹑疊形(stacked)及冠狀 (crown)，有較簡易的製程步驟，且相較於如上所述的三種結構，因 為層與層間的高度落差低（<1500Å），所以有利於階梯覆蓋(step coverage)的能力，而對電極及Ta2O5表面做粗糙化（Rugged）處 理，可增加表面積，故也可因此得到增加電容值的效果。理論上， 我們可簡單的說此褶層型 (folded) 電容結構，是利用電容並聯 時，電容值相加的原理，實際應用於摺層型電容的結構。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

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