發光二極體及其製造方法/Light emitting diode and fabricating method thereof

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/163,314

專利證號

US 7,265,389 B2

專利獲證名稱

發光二極體及其製造方法/Light emitting diode and fabricating method thereof

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2007/09/04

技術說明

一種發光二極體的製造方法。在一磊晶基板上依序形成一第一型摻雜半導體層、一發光層以及 一第二型摻雜半導體層。在第二型摻雜半導體層上形成一鍵合層。令一轉移基板與磊晶基板之 鍵合層相結合。移除磊晶基板。移除部份第一型摻雜半導體層、發光層以及第二型摻雜半導體 層，以暴露出鍵合層之部分表面。圖案化鍵合層，以形成相互分離之一第一鍵合部與一第二鍵 合部，其中第一型摻雜半導體層、發光層以及第二型摻雜半導體層係位於第一鍵合部上。在第 一型摻雜半導體層上形成一接墊。形成連接接墊與第二鍵合部之一導線。 non

備註

於102.05.29中大研字第1021430162號函知讓與(起日100.6.1)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

網址