電子裝置用蠶絲溶液、使用其製備之具蠶絲蛋白介電層之有機薄膜電晶體裝置及其製作方法ELECTRONIC GRADE SILK SOLUTION, OTFT WITH SILK PROTEIN AS DIELECTRIC MATERIAL AND METHODS FOR MANUFACTURING THE SAME

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099119523

專利證號

I 418073

專利獲證名稱

電子裝置用蠶絲溶液、使用其製備之具蠶絲蛋白介電層之有機薄膜電晶體裝置及其製作方法ELECTRONIC GRADE SILK SOLUTION, OTFT WITH SILK PROTEIN AS DIELECTRIC MATERIAL AND METHODS FOR MANUFACTURING THE SAME

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2013/12/01

技術說明

本發明係有關於一種電子裝置用蠶絲溶液、使用其製備之具蠶絲蛋白介電層之有機薄膜電晶體裝置及金屬-絕緣層-金屬電容結構、及其製作方法。其中，有機薄膜電晶體裝置係包括：一基板；一閘極，係配置於基板上；一閘極介電層，係配置於基板上且覆蓋閘極，其中閘極介電層之材料係包含一蠶絲蛋白；一有機半導體層；以及一源極、以及一汲極，其中有機半導體層、源極、以及汲極係配置於閘極介電層上方。所製作的五苯環有機薄膜電晶體的載子移動率高達40 cm2/V-sec 。 An electronic grade silk solution, an organic thin film transistor (OTFT) and a metal-insulator-metal capacitor with silk protein as the dielectric material manufactured by use of the silk solution, and methods for manufacturing the same are disclosed. The OTFT of the present invention comprises: a substrate; a gate disposed on the substrate; a gate dielectric layer containing silk protein, which is disposed on the substrate and covers the gate; an organic semiconductor layer; and a source and a drain, wherein the organic semiconductor layer, the source and the drain are disposed over the gate dielectric layer. The field effect mobility of pentacene OTFT is as high as 40 cm2/Vs.

備註

本部(收文號1050048245)同意該校105年7月11日清智財字第1059003575號函終止維護專利19件(清華)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

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