電阻式記憶體Resistance Random Access Memory

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

104135115

專利證號

I 564898

專利獲證名稱

電阻式記憶體Resistance Random Access Memory

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2017/01/01

技術說明

本發明揭示一種電阻式記憶體，用於解決習知電阻式記憶體在集成電路上潛行電流的問題，本發明之電阻式記憶體包含：一第一電極層；一第一絕緣層，疊設於該第一電極層；一富氧層，疊設於該第一絕緣層，該富氧層係由氧化物摻雜金屬元素，該金屬元素之含量百分比最多不大於10%；一第二絕緣層，疊設於該富氧層；及一第二電極層，疊設於該第二絕緣層。藉此，可確實解決上述問題。 This invention discloses a resistance random access memory which is used to solve a problem of the conventional resistance random access memory with sneak current in integrated circuits. The resistance random access memory of this invention comprises a first electrode layer, a first insulation layer, a rich-in-oxygen layer, a second insulation layer and a second electrode layer. The first insulation layer is mounted on the first electrode layer. The rich-in-oxygen layer is mounted on the first insulation layer and doped metal elements, with the quantity contented of the metal elements much less than ten percent. The second insulation layer is mounted on the rich-in-oxygen layer. The second electrode layer is mounted on the second insulation layer. Thus, it can actually resolve the said problem.

備註

本部(收文號：第1080067117號)同意該校108年10月8日中產營字第1081401079號函通報專利終止維護案。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

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