一種形成半導體深次微米線寬結構的方法METHOD FOR FORMING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING NANOMETER LINE-WIDTH

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/783,470

專利證號

US 7,501,348 B2

專利獲證名稱

一種形成半導體深次微米線寬結構的方法METHOD FOR FORMING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING NANOMETER LINE-WIDTH

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2009/03/10

技術說明

本案技術為一種利用斜角度蝕刻，製作深次微米金屬電極的方法。首先在基材上披覆多層光阻，然後使用適當的曝光能 量或顯影條件，使得第一層光阻不被顯開，而具有下切(under-cut)側壁的凹槽結構則形成於第一層光阻之上。在利用 相對於基材垂直方向的斜角度，進行非等向性蝕刻製程，光阻凹槽的一邊側壁，可以保護部分第一層光阻免於受到蝕 刻，而被蝕刻掉的第一層光阻，則形成一開口結構，在進行垂直金屬蒸鍍與浮離(lift-off)製程後，可定義出金屬電極 的線寬。

備註

本部(收文號1060016225)同意該校106年3月7日交大研產學字第1061002219號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

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