W18O49型氧化鎢奈米材料及其於光感測器、金氧半場效電晶體及太陽能電池之應用

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102133608

專利證號

I 518037

專利獲證名稱

W18O49型氧化鎢奈米材料及其於光感測器、金氧半場效電晶體及太陽能電池之應用

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2016/01/21

技術說明

本發明是關於一種氧化鎢奈米材料，特別是一種摻雜硫之W18O49正型氧化鎢奈米材料及其應用，本發明之一實施例提供一種摻雜硫之W18O49型氧化鎢之奈米材料，其具有以下化學式：W18O(49-x)Sx 其中，x介於0.5至5.5之間。本發明之W18O49型氧化鎢奈米材料是由二硫化鎢為前驅物，經熱氧化反應沉積所製成。。其製備方式是以二硫化鎢為前驅物，經熱氧化成長為奈米結構。氧化鎢為具有光電導特性之金屬氧化物，是一種能隙半導體，其受到光能量的激發可使價帶電子躍遷至傳導帶產生光電流，本發明揭示以W18O49型氧化鎢奈米材料應用於光感測器、金屬氧化物半導體場效電晶體及太陽能電池。 The invention proposes W18O49-type tungsten oxide nanomaterial, which is fabricated by using WS2 as a precursor, and then the W18O49-type tungsten oxide nanostructure is formed by thermal oxidation from the precursor. The proposed W18O49-type tungsten oxide nonmaterial for application in light sensor, MOSFET and solar cell, are also disclosed.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址