一種堆疊型多位元SONOS式快閃記憶體之製造技術

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096117928

專利證號

I 332261

專利獲證名稱

一種堆疊型多位元SONOS式快閃記憶體之製造技術

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2010/10/21

技術說明

對於各種新式快閃記憶體元件，諸如半導體-氧化層-氮化矽-氧化層-半導體 (SONOS)或奈 米結晶體(Nanocrystals)，其已成功地實現於兩位元細胞之製造而大大增加現有資料儲存 能力。本發明揭露一種製造四位元/八位階細胞之方法並較現有兩位元結構增加兩倍之電 荷儲存能力。

備註

本部(收文號1030032705)同意該校103年5月7日1034500281號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

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