垂直式複晶矽薄膜非揮發性記憶體之結構與製程

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

090107168

專利證號

I 186808

專利獲證名稱

垂直式複晶矽薄膜非揮發性記憶體之結構與製程

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2003/09/01

技術說明

本發明係有關一種垂直式複晶矽薄膜非揮發性記憶體之結構與製程，其是以垂直式的結構來 實現一非揮發性記憶體之功能，藉以提高元件之密度，使元件形成特殊的讀寫路徑與抹除記 憶，可提高元件的可靠性，達到在複晶矽薄膜上製作非揮發性記憶體之可能。

備註

本部(收文號1060016225)同意該校106年3月7日交大研產學字第1061002219號函申請終止維護專利 (多填I係為了系統儲存規則)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

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