以超快雷射製作常溫氣體檢測晶片的薄膜電極的方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

106123768

專利證號

I 631236

專利獲證名稱

以超快雷射製作常溫氣體檢測晶片的薄膜電極的方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣師範大學

獲證日期

2018/08/01

技術說明

本發明係提供一種以超快雷射製作常溫氣體檢測晶片的薄膜電極的方法，其包含在一基板上製作一薄膜，以及在常溫下，以超快雷射製程剝蝕薄膜，以形成具有一電極圖案的一薄膜電極，本發明主要利用超快雷射掃描製程之非接觸性加工(Non-contact machining)方式，搭配鏡組掃描整合技術，以製作導電薄膜電極，比起目前使用的製程，該製造上產生更少污染及損耗，且又能進行更複雜更快加工程序的綠色生產方式，並整合無線氣體檢測晶片，使感測器可在常溫底下作業，以符合產品之需求。 The present invention relates to a method for manufacturing a thin film electrode for a gas detection chip, in particular to a method for manufacturing a thin film electrode for a gas detection chip by using an ultra-fast laser. In the present invention, the material of the substrate is one of a polymeric material, glass or silicon. The material of the thin film is a metal, a polymeric conductive material, or graphene, reduced graphene oxide, indium tin oxide, or zinc gallium oxide. In the present invention, the electrode pattern is in a spiral shape. To be specific, the electrode pattern is in a polygonal spiral shape, a circular spiral shape, a cylindrical spiral shape, a spherical spiral shape or a non-spherical spiral shape.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作組

連絡電話

77341329

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