一種具有非晶態金屬氧化物之組成物的電阻式記憶體、電阻式記憶體單元及薄膜電晶體A RESISTIVE MEMORY, RESISTIVE MEMORY UNIT AND THIN-FILM TRANSISTOR HAVING COMPOSITION OF AMORPHOUS METAL OXIDE

專利類型

設計(新式樣)

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

104143765

專利證號

I 579974

專利獲證名稱

一種具有非晶態金屬氧化物之組成物的電阻式記憶體、電阻式記憶體單元及薄膜電晶體A RESISTIVE MEMORY, RESISTIVE MEMORY UNIT AND THIN-FILM TRANSISTOR HAVING COMPOSITION OF AMORPHOUS METAL OXIDE

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2017/04/21

技術說明

近年來，電阻式記憶體的發展被視為下世代高密度低功耗非揮發性記憶體的候選人之一，且由金屬氧化物所組成之電阻切換層更是最為廣泛的應用與研究。而在發展高密度電阻式記憶體之區塊時，垂直式的位元線所形成之垂直式電阻式記憶體能達成高密度且低成本的優點，因為只需要一道關鍵的蝕刻便可形成多顆電阻式記憶體，大大的降低光罩數量，進而節省成本。然而，現今在新穎式畫素驅動電晶體廣為採用的材料為非晶態氧化銦鎵鋅半導體，銦與鎵為世界上極具需求之消耗性元素，若不找尋適當取代材料，預計將會於2020年貧瘠。再者，為了提升電阻式記憶體的容量，由記憶體單元形成之陣列在持續擴張下，產生了漏電流(sneak current)問題而造成讀取上的干擾。除此之外，在陣列的最底層也需串接一電晶體來做為電阻式記憶體之驅動。另一方面，隨著科技日新月異，傳統電子裝置不再是只能應用於矽晶圓半導體製造，而是讓電子裝置能夠被應用在任何基板下，如玻璃、金屬薄片、塑膠基板或任何製作過程保持在相對低溫下的產品。因此，如何克服習知技術之種種問題，避免漏電流問題及大量消耗銦鎵元素問題，以及達到製程低溫化，實為本領域技術人員亟欲解決的重要課題之一。 本發明揭露一種具有非晶態金屬氧化物之組成物的電阻式記憶體、電阻式記憶體單元及薄膜電晶體，該組成物係包括：氧化鋅（ZnO）、二氧化錫（SnO2）以及氧化鋁（Al2O3）。因本發明之該組成物不含銦與鎵元素，故可有效地減少銦鎵元素消耗，並且藉由該組成物可降低電阻式記憶體之漏電流，以及可於低溫製程下製造電阻式記憶體及薄膜電晶體，藉以提升產品競爭力。 A resistive memory, resistive memory unit and thin-film transistor having composition of amorphous metal oxide are disclosed, wherein the composition comprises: ZnO, SnO2 and Al2O3. Because of the composition of the present invention does not contain the elements of In and Ga, it can effectively slow down the consumption of In and Ga. And the composition can reduce sneak current of the resistive memory. Further, the resistive memory and thin-film transistor with composition of the present invention can be manufactured in the manufacturing process at low temperature to enhance the competitiveness of products.

備註

本會(收文號1120019924)同意該校112年4月7日陽明交大研產學字第1120010771號函申請終止維護專利(國立陽明交通大學)

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