形成奈米尖端陣列的方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/247886

專利證號

US6960528B2

專利獲證名稱

形成奈米尖端陣列的方法

專利所屬機關 (申請機關)

中央研究院

獲證日期

2005/11/01

技術說明

這是一種製造高密度奈米針尖材料的方法與這種材料的可能應用。這種奈 米針尖的尖端達一 米左右，其長度可達一微米，可以利用簡單的電子迴旋共震電漿達到所需 成核與蝕刻的功 效。初步發現這種材料在高解析度探針與電子場發射應用上有極優異的性 能，其超高解析探 針、真空電子元件、太陽能元件、電化學電極材料應用上的潛力可期。

備註

本部(第1080055491 號)同意中央研究院108年8月12日智財字第1080506729號函通報專利權終止維護案。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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