增強式高電子移動率電晶體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

大陸

專利申請案號

201010265787.6

專利證號

1324069

專利獲證名稱

增強式高電子移動率電晶體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2013/12/18

技術說明

本案提出以P-N半導體接面製作之氮化鎵增強式電晶體，由於此元件具有高臨限電壓、耐高壓、高輸出功率及增強式操作之特性，預期可用在微波通訊、功率放大器電路及電動車用電子領域。本案創作目的在於製作一具高臨限電壓的氮化鎵增強式電晶體，可使本元件於高壓應用時，避免因瞬間脈衝電壓而導致不正常開啟，增加漏電流或額外功率消耗。透過將多層PN接面整合入傳統氮化鎵電晶體結構的方式，可以隨著不同電路設計應用考量，調整臨限電壓至所需要之位準。此技術有助於減少元件待機時之功率損耗、降低元件應用至電路之複雜度，以及提升使空乏式與增強式整合之氮化鎵數位邏輯電路之可行性。 In this patent, we propose a technique of fabricating the enhancement mode GaN based transistor with high threshold voltage. This technique is achieved by integrating the multiple PN semiconductor junctions into the conventional GaN transistor structure. The proposed device can adjust the threshold voltage to the required level with the consideration of circuit design. Through the proposed technique, the goals of low power consumption under off state of transistors, low complexity of circuit when applying the proposed devices, and possible integration of depletion mode and enhance mode of GaN transistors for GaN digital logic circuits could achieve.

備註

本部(收文號1100007424)同意該校110年1月29日交大研產學字第1100002855號函申請同意專利權讓與

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

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