低溫多晶體材料及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093131900

專利證號

I 324398

專利獲證名稱

低溫多晶體材料及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2010/05/01

技術說明

本發明係提供一種低溫多晶體材料之製造方法及其結構。該方法係包含(a)提供一具有可吸收輻射能材料之熱傳導裝置；(b)提供一具有非晶體材料之試片；(c)將該熱傳導裝置覆於該非晶體材料試片上，其中該熱傳導裝置之該可吸收輻射能材料與該試片之該非晶體材料係以彼此接觸之方式配置；(d)提供一輻射能；以及(e)利用該熱傳導裝置吸收該輻射能並將其轉為一熱能，並以該熱傳導裝置作為媒介，將該熱能輸入該非晶體材料試片使其結晶形成該多晶體材料，其中該可吸收輻射能材料係為於步驟(e)期間不與其他物質產生反應之材料，其中該熱傳導裝置係重複使用於不同之試片上，以連續製造低溫多晶體材料。 This invention provides a polycrystalline material manufacturing method and structure. The detailed step of said method including (a) a thermal conductive device with radiation-absorber, (b) anamorphous material as the sample, (c) said device placed on the sample, where radiation-absorber contacts said amorphous material, (d) a radiation energy is provided, (e) the radiation energy is absorbed and converted into thermal heat by said thermal conductive device. Then the amorphous material is crystallized into polycrystalline material. Said thermal conductive device does not react with other material during step (e). Said thermal conductive device can be re-useable and produce low temperature polycrystalline material continuously.

備註

本部(收文號1060016225)同意該校106年3月7日交大研產學字第1061002219號函申請終止維護專利

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