致電吸光調制器/High speed electro-absorption modulatorhaving low drive voltage | 專利查詢

致電吸光調制器/High speed electro-absorption modulatorhaving low drive voltage


專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/967,161

專利證號

US7,102,807B2

專利獲證名稱

致電吸光調制器/High speed electro-absorption modulatorhaving low drive voltage

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2006/09/05

技術說明

本發明係一種致電吸光調制器,係利用一磊晶層結構為p-i(MQW)-n+-i(collector)-n之p-i-n- i-n磊晶層成長在一半導體基板上形成致電吸光調制器,可改善驅動電壓和速度之間的trade- off(抵觸)及增加了光在排摻雜區之侷限係數(confinement factor),並降低了光在摻雜區因 自由載波吸收(free-carrier-absorption)所造成的介入損耗。

備註

本部(收文號1080048903)同意該校108年7月19日中大研產字第1081400892號函所報終止維護專利。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076


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