氫電漿輔助硒化製程之結晶退火裝置

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101130334

專利證號

I 478239

專利獲證名稱

氫電漿輔助硒化製程之結晶退火裝置

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2015/03/21

技術說明

本發明係關於一種氫電漿輔助薄膜太陽能電池製程之結晶退火裝置及其方法，其先將硒／硫蒸氣與氫氣混合，以及加入氮氣或氬氣等氣體後，注入於一真空腔室，再透過噴灑頭孔徑大小有異的氣體噴灑單元將混合氣體均勻向下噴灑，再借著電漿單元將此混合氣體解離活化，使之能在兼具無毒、環保以及安全之下對銅基薄膜進行硒化或硫化，效果均勻並可適用於大尺寸面積的銅基薄膜太陽能電池的製備。不同於現有專利技術，此專利的提出特點可有效解決金屬硒蒸氣硒化面臨到的反應效率不足以及均勻度不佳等問題，並同時可提高光轉換效率。此外，高密度電漿解離硒蒸氣能侷限硒蒸氣之範圍，採用無毒硒蒸氣避免有毒硒化氫氣體的使用，則可有效降低製程及設備成本。 This invent is related to an apparatus and methnodology of hydrogen plasma assisted Cu-based solar cell crystallization and annealing process. It mixes hydrogen gas with selenium vapor or sulfur vapor first, then carryies with nitrogen or argon gases and flow in a vacuum chamber. The mixed gases are distributed and downflow via specially designed shower head, then ionized and activated with ICP plasma. It can be used for non-toxic, environmental and safe selenization / sulfurization process of Cu-based thin films. The merits of this apparatus and methodology is able to achieve high efficiency, large scale size and uniformity Cu-based thin film solar cell.

備註

本部(收文號1110009447)同意該校111年2月17日國研授半導體企院字第1111300263號函申請終止維護專利(財團法人國家實驗研究院)

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