粒子束狀態改變監測系統及其方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100139917

專利證號

I 452598

專利獲證名稱

粒子束狀態改變監測系統及其方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2014/09/11

技術說明

粒子束飄移問題在多重粒子束微影系統中更顯嚴重。傳統單一粒子束微影系統利用在晶圓上之參考點做週期性修正，但此技術在多重粒子束微影系統中變得不可行。本發明提供一種一或多道粒子束的狀態改變監測系統，其包括複數個粒子感測器及一監測單元，其中一或多道粒子束撞擊至一待寫基板。該等粒子感測器感測自該基板反彈的該一或多道粒子束，以產生一或多個感測訊號。該監測單元根據該一或多個感測訊號估測該一或多道粒子束的狀態變化。藉此一設置及監測方法，本發明系統可以監測多道粒子束，並達到粒子束位移準確度。 Particle beam drift problems can become quite serious in multiple-beam systems. Periodic recalibration with reference markers on the wafer has been utilized in single-beam systems to achieve beam placement accuracy. This technique becomes impractical with multiple beams. In this invention, architecture of a multiple dimensional beam position monitor system for multiple-particle-beam lithography is proposed. It consists of an array of miniaturized particle detectors placed above the wafer to detect particles, to estimate the amount of beam drift from detector signals. The estimated amount of beam drift can be send to a feedback mechanism for beam drift correction.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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