鈣鈦礦薄膜及太陽能電池的製備方法METHOD FOR PREPARING PEROVSKITE THIN FILM AND SOLAR CELL

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103115431

專利證號

I 474992

專利獲證名稱

鈣鈦礦薄膜及太陽能電池的製備方法METHOD FOR PREPARING PEROVSKITE THIN FILM AND SOLAR CELL

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2015/03/01

技術說明

本發明主要是找到一種製備鈣鈦礦膜的製程及其應用於鈣鈦礦太陽能電池的技術。鈣鈦礦太陽能電池是目前最火熱的研究題目之一，原因除了高效率外，簡單的製程及使用非常少的材料因此可降低產電成本也是重要因素。鈣鈦礦膜的製備是組裝鈣鈦礦太陽能電池的關鍵步驟，也是影響效率的重要因素之一，本發明為一種簡單的鈣鈦礦膜的製備方法，使用此法所製得之鈣鈦礦膜加上有創意的鈣鈦礦太陽能電池組裝製程，可得非常高效率之鈣鈦礦太陽能電池，為提高鈣鈦礦太陽能電池的效率，向前推進一大步。 Organic-perovskite (such as CH3NH3PbI3) has been proved as an excellent absorber in solar cell. Planar heterojunction organic-perovskite hybrid solar cell is one of the most promising photovoltaic architecture to achieve high conversion efficiency and low fabrication cost. We reported a new two-step solution process to synthesis crystalline perovskite dense film with less surface defects and pure phase to achieve the power conversion efficiency of 13.22%. This is the highest efficiency attained for the low temperature solution processable bilayer inverted perovskite solar cell reported to date. The optimized device has a fill factor of 0.79 which is also the highest value reported in perovskite solar cells.

備註

本會(收文號1120063642)同意該校112年9月27日中大研產字第1121401079號函申請終止維護專利(國立中央大學)

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