電阻式記憶體及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103141846

專利證號

I 565046

專利獲證名稱

電阻式記憶體及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2017/01/01

技術說明

本發明揭示一種電阻式記憶體，用於解決習知電阻式記憶體元件特性不穩定及功率消耗無法降低等問題，該電阻式記憶體包含：一第一電極層；一少氧層，設於該第一電極層，該少氧層由銦錫氧化物、三氧化二銦、二氧化錫或氧化鋅構成；一絕緣層，設於該少氧層，該絕緣層由二氧化矽或氧化鉿構成；及一第二電極層，設於該絕緣層。此結構能有效降低電阻式記憶體之操作電壓與電流。另，本發明揭示該電阻式記憶體的製作方法。藉此，可確實解決上述問題。 This invention discloses a resistance random access memory to solve the problem for device characteristic unstable and the power consumption unable to decrease of the known resistance random access memory. The resistance random access memory comprises a first electrode layer, a few-oxygen layer, an insulation layer and a second electrode layer. The few-oxygen layer is mounted on the first electrode layer and composes of ITO, In2O3, TiO2 or ZnO. The insulation layer is mounted on the few-oxygen layer and composes of SiO2 or HfO. The second electrode layer is mounted on the insulation layer. Furthermore, a method for fabricating the resistance random access memory is also disclosed. Thus, it can actually resolve the said problem.

備註

本會(收文號1120068549)同意該校112年10月17日中產營字第1121401049號函申請終止維護專利(國立中山大學 )

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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