發光二極體之電鑄製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100128018

專利證號

I 453947

專利獲證名稱

發光二極體之電鑄製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2014/09/21

技術說明

本發明係揭露一種發光二極體之電鑄製造方法，提供一設有複數磊晶層以及完成圖案化金屬層之基板，於磊晶層之頂面上及圖案化金屬層之側壁形成一絕緣層之後，再利用電鑄處理裝置之電鑄製程進行形成適當的厚度金屬材質之支撐散熱層，再將基板進行切割，以得到複數發光二極體晶粒，並利用覆晶技術將發光二極體安裝至一承載基板上，最後，再以雷射光束剝離該基板，因此，本發明得以解決過去習知技術使用底部填充膠之製造方法所造成製程速度緩慢的問題，並提供雷射剝離基板過程所需要的支撐力，更可達到高度的排熱效果。 The present invention provides an electroforming fabrication method of light emitting diodes (LED), which includes the following steps: providing a substrate with a plurality of epitaxial layers and metal layers with completed patterning; forming an insulation layer on the top surface of the epitaxial layers and on the side walls of patterned metal layers; next, employing the electroforming process of the electroforming processing device to form a support heat dissipation layer of metal material with suitable thickness; dicing the substrate to obtain a plurality of LED dies; using the flip-chip technique to mount the LEDs on a carrying substrate; finally, employing laser beam to peel off from the substrate.

備註

本部(收文號：第1080064106號)同意該校108年9月25日長庚大字第1080090277號函通報專利權終止維護案。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

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