石墨烯製備系統及方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101128932

專利證號

I 457277

專利獲證名稱

石墨烯製備系統及方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2014/10/21

技術說明

本發明揭露一種石墨烯製備系統及方法，相異於先前技術需於工作腔內或工件上備有一金屬箔以作為碳原子的催化劑，本發明係利用一由工作腔外輸入的催化劑粒子並經由加熱以對通入工作腔的碳料進行裂解並沉積，以使石墨烯得以直接地生成於絕緣工件之表面。藉此，本發明得以一相對便宜的催化金屬溶液來做為本發明的催化粒子來源而無需利用相對昂價的銅箔，直接的減少了石墨烯的製作成本，進而解決了石墨烯製作成本過高的問題。 本發明係揭露了一種石墨烯製備系統，用於以一相對低廉的價格來於工件的表面進行石墨烯層的製作。有別於先前技術需先將銅箔備於工作腔內或工件上以作為催化劑的方式，本發明係利用了一種自爐體之工作腔外輸入的氣態催化劑來對碳料源進行反應並產生碳原子進而於工件之表面直接地形成一石墨烯層結構。此舉除了成本極為低廉外，其亦具有分佈平均、工件大小不受限制以及得於絕緣體工件之表面直接形成有石墨烯等優點。 The present invention discloses a graphene manufacturing system and the method thereof. In the prior art, in order to grow graphene layers, a metal foil or thin film has to be prepared and disposed either on the surface or in the vicinity of the of the work piece so as to catalyze the decomposition of carbon feedstock nearby. In contrast, the present invention uses a fluid which contains catalyst metal ions as the source of catalysts and imports the catalytic particles from outside of the working chamber. The metal particles catalyze the decomposition of carbon feedstock at high temperature and cause the direct growth of graphene layers on insulator substrates.Therefore, the present invention is able to use cost-effective materials as the source of catalysts to grow graphene for practical applications.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

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