整合共振帶間穿隧二極體及MOS元件之半導體裝置及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095137262

專利證號

I 329366

專利獲證名稱

整合共振帶間穿隧二極體及MOS元件之半導體裝置及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2010/08/21

技術說明

本發明係關於一種整合共振帶間穿隧二極體及MOS元件之半導體裝置及其製作方法。該半導體裝置係在單一MOS元件之源極部及汲極部上方和下方,分別形成一對共振帶間穿隧二極體,其等效模型可視作一在傳統上需六個電晶體才能完成的SRAM記憶體。因此,該半導體裝置具有尺寸小、成本低之優點。此外,因共振帶間穿隧二極體具高速度及低功率,且亦能符合SRAM要求的特點,因此,該半導體裝置比較傳統SRAM,在接線和操作上都較為簡易。再者,雙共振帶間穿隧二極體產生的電壓箝位效果,對外界雜訊造成的電壓浮動亦具有非常良好的抵抗效果。 The present invention relates to a semiconductor device integrating RITDs and MOS and method for making the same. A couple of RITDs are formed on and under the source portion of the semiconductor device and a couple of RITDs are formed on and under the drain portion of the semiconductor device. The efficiency of the semiconductor device is equivalent to a conventional SRAM that has six transistors. Therefore, the size of the semiconductor device can be smaller, and the production cost of the semiconductor device is lower. In addition, the RITD is of high proceeding speed and lower power consuming, and conforms to requirements for the SRAM, so that the semiconductor device is simpler than the conventional SRAM in bonding and operating. Furthermore, two RITDs can provide better effects for clamping voltage, and for resisting the outside noises that result in voltage fluctuation.

備註

依據103年4月30日該校來函申請終止維護並經本部同意(收創文號1030031427)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

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