以預應變效應製造長波長發光二極體之方法及其結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095144211

專利證號

I 338382

專利獲證名稱

以預應變效應製造長波長發光二極體之方法及其結構

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2011/03/01

技術說明

一種以預應變效應製造長波長發光二極體之方法及其結構，至少包含在製造具有氮化銦鎵/ 氮化鎵量子井層發光層的發光二極體時，先於N-型氮化鎵層上成長預應變的低銦含量氮化 銦鎵層，再於低銦含量氮化銦鎵層上成長高銦含量單重或多重氮化銦鎵/氮化鎵量子井發光 層結構，以增加高銦含量單重或多重量子井發光層之銦含量，因而加長發光二極體之放射 波長。本發明之方法可加長發光二極體之放射波長超過50nm(奈米) ，使例如原為綠光發光 二極體之結構能放射橘光或紅光，且不影響其他的電性性質。

備註

已於102.10.21來函(1020083408)通知於2013.03.20讓與

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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