以氮氧化合物為矽晶圓製程快速擴散方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

090118721

專利證號

I244125

專利獲證名稱

以氮氧化合物為矽晶圓製程快速擴散方法

專利所屬機關 (申請機關)

逢甲大學

獲證日期

2005/11/21

技術說明

針對沉積處理後的矽晶圓作1200度會更高溫至少24小時之加熱處理使滲雜劑於此矽晶圓表面 驅入擴散的處理提出改善。將加熱處理之氣氛由傳統的氮氧混合改為稀有氣體與氧氣依特定 比混合,則以前在驅入擴散處理中所生成的特殊物這個無可避免的缺劣現象可完全地被免除

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

(04)24517250-6811

網址