利用電漿電解氧化製備ZrO2膜的方法METHOD FOR FORMING ZrO2 FILM BY PLASMA ELECTROLYTIC OXIDATION

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/954,391

專利證號

US 8,808,523 B2

專利獲證名稱

利用電漿電解氧化製備ZrO2膜的方法METHOD FOR FORMING ZrO2 FILM BY PLASMA ELECTROLYTIC OXIDATION

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2014/08/19

技術說明

目前以電漿電解氧化法製備氧化膜，大多利用金屬塊材或是少部分以金屬膜進行製備，該反應進行時間較長，成膜速率較慢。目前尚未有人以導電氮化膜為底材以此法製備氧化膜，此氮化膜熔點較高，在其上生成之氧化物生成速率更快。 1、 本發明是利用電漿電解氧化法於導電陶瓷氮化膜上製備氧化膜，此製程比起其他相關製程，如水熱法、水熱化學電池法和電化學法形成氧化膜的特點為成膜速度快了許多，且生成之氧化膜結晶性更佳。 2、 利用電漿電解氧化法於導電陶瓷氮化膜上，相較於在金屬塊材或是金屬膜底材上更能快速生成氧化膜。 1. This invention is to prepare oxide films on conductive nitride layers by plasma electrolytic oxidation. Compared to hydrothermal, hydrothermal- galvanic couple, and electrochemical methods, this technique can produce oxide films with much higher growth rate and crystallinity. 2. Using conductive nitride seeding layers , compared to bulk metal or metallic seeding layers, can yield oxide films with higher growth rate.

備註

本部(收文號1100027139)同意該校110年5月13日興產字第1104300261號函申請終止維護專利(中興)

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