奈米材料的製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

105110729

專利證號

I 571302

專利獲證名稱

奈米材料的製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣科技大學

獲證日期

2017/02/21

技術說明

本研究計畫主要目的為開發簡單且快速的量子點合成技術，量子點材料的應用與發展近年來逐漸受到注視，是由於其優越的物理、化學與光學特性，這些性質使其可廣泛應用在生醫感測、光電元件與能源儲存等領域上。目前合成量子點材料的方法大致可分為Top-down和Bottom-up兩種方式，其中以Top-down方式合成的量子點雖然產量大，但難以控制其粒徑大小，且有過多缺陷的問題；而Bottom-up的合成方式是從單位分子合成到大尺寸結構，因此較易於控制材料的結構與表面特性。然而，目前大部分的合成方法均需涉及複雜的化合物添加、高溫的製程與繁複的操作步驟與設備，因此簡單且快速的合成方法是值得發展的與探討的。 本研究是以大氣常壓微電漿技術合成量子點材料，此合成技術是屬於Bottom-up類別，因此具有可控制材料表面特性的能力。再者，此技術相較於其他電化學合成方法具有簡單且快速的合成程序與設備，與傳統電漿相比其單位體積下亦有較高的電子密度與能量，因此可促成反應物在液面下有更快速的反應速率。此外，隨著氣體電極扮演陰、陽極的不同，也會促使液面下有不同的反應途徑，因而增添更多反應的可行性。 綜合上述探討，本大氣常壓微電漿系統合成量子點材料的技術開發將有助於後續工業化程序設計與理論研究的發展。 The project proposes a facile synthesis method of quantum dot materials. In recent years, quantum dots have attracted significant attention due to its distinct physical, chemical and optical properties. These properties makes it widely applicable in various fields. Generally, synthesis approaches of quantum dots are classified into Top-down and Bottom-up. Each has its own drawbacks and challenges, therefore, synthesizing quantum dot in a simple and fast way is worth to study. The project utilizes an atmospheric-pressure microplasma system in synthesizing quantum dots. This bottom-up approach renders the surface properties of the material to be controllable. It is simpler and faster compared with other electrochemical synthesis methods. Depending on the gas electrode, it can create different reaction pathways at the plasma-liquid interface. Furthermore, it has higher reaction rates relative to using conventional plasma, owing to its higher electron density and energy per volume.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

連絡電話

02-2733-3141#7346

網址