記憶體之結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

105112054

專利證號

I 607438

專利獲證名稱

記憶體之結構

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2017/12/01

技術說明

本發明是關於一種改良式的記憶體結構，屬於電阻式記憶體的一種，其係於上電極與下電極之間加入一層切換層，而此切換層與傳統的記憶體結構有些不同，此切換層總共分為兩層，因為多了一層切換層的緣故，可以用來增加記憶體的切換特性，另外使用氧化銥作為此記憶體之上電極；其在運作上可較佳的提供氧空缺絲線的路徑形成，呈現出互補式電阻切換記憶體陣列特徵，並且運用此電阻式記憶體特性，也可以用於生醫感測器的運用，相關的電阻式記憶體結構用於生醫感測器之研究，已於本團隊撰寫期刊論文所發表。 The present invention relates to a memory structure, which is a kind of resistive memory. A middle layer formed by a first dielectric film and a second dielectric film is included between the top and bottom electrodes. The material of the top electrodes is iridium oxide. Thereby, preferred oxygen vacancy filament paths can be provided and thus exhibiting complementary resistive switching of memory arrays. Furthermore, the memory structure can be applied to biological tests.

備註

本會(收文號1110066110)同意該校111年10月24日長庚大字第1110100257號函申請終止維護專利(長庚大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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