適用於銅製程的半導體裝置

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100120365

專利證號

I 441303

專利獲證名稱

適用於銅製程的半導體裝置

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2014/06/11

技術說明

本發明揭示一種在氮化鎵電晶體(GaN HEMT)上的銅歐姆接觸結構，其包括:在基板上成長之一AlGaN/GaN半導體磊晶層;以及一歐姆接觸層(Ti/Al/Ni; Ti/Al)，佈於該氮化鎵電晶體(GaN HEMT)上;以及一擴散阻障層,分佈於該歐姆接觸層上,用以阻擋銅金屬層之擴散;以及一金屬銅(Cu)層，佈於該擴散障礙層上，作為元件之導線用。其中，擴散阻障層之材料為Ti、TiN、W、WNx，以防止銅擴散入氮化鎵電晶體中。銅導線可用濺鍍、蒸鍍、電鍍等方式形成，作為電晶體之金屬連線。 This invention discloses an Cu based ohmic contact of GaN HEMT. The Cu based ohmic contact comprises: a AlGaN/GaN semiconductor epitaxial layer on a substrate, a ohmic contact (Ti/Al/Ni; Ti/Al) on a GaN HEMT, a diffusion barrier on the ohmic contact to prevent diffusion of Cu metal layer, and a Cu layer on the diffusion barrier for a connect of a device.

備註

本部(收文號1100007424)同意該校110年1月29日交大研產學字第1100002855號函申請同意專利權讓與

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

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