多孔性材料之製備方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101126766

專利證號

I 579322

專利獲證名稱

多孔性材料之製備方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2017/04/21

技術說明

多孔性材料之製備方法 在慢速升溫的過程中(包括軟烤除去溶劑或移除起孔洞劑)， 一般起孔洞劑會有團聚的現象發生在溫度超過母材的玻璃轉換溫度以及整體黏度下降的時候。 我們使用簡單的表面改質的方式，將起孔洞劑的表面電位增加，並使其產生靜電斥力。 這樣帶有大表面電位的起孔洞劑將會分散在前驅物中， 並在複合的低介電薄膜中產生穩定分散的效果。最後無論用不同升溫速率將其燒除， 皆可以產生小孔洞於低介電材料。 Undesired, large and interconnected pores are formed under slow curing rate, primarily due to porogen aggregation in the low-k matrix/porogen hybrid system at T ≥ Tg of matrix precursor. This invention uses surfactant to modify the surface potential of the sacrificial component or porogen, which, in turn, disperses well in the dielectric solution and low-k matrix/porogen hybrid film. After burning out sacrificial component at a slow cure rate, small pore size with tight distribution is achieved.

備註

本會(收文號1120019924)同意該校112年4月7日陽明交大研產學字第1120010771號函申請終止維護專利(國立陽明交通大學)

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