太陽能吸收裝置

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

107119497

專利證號

I 659118

專利獲證名稱

太陽能吸收裝置

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2019/05/11

技術說明

本發明採用單一材料氮氧化鈦(TiNxOy)薄膜作為太陽能選擇性吸收層，不同於文獻中半導體-金屬串聯結構之太陽能選擇吸收層多使用三種以上不同材料組合而成。其特點如下:氮氧化鈦薄膜可藉由調整N/O含量比例，由導體轉變成半導體，甚至是絕緣體，光性也可由不透明轉變成半透明，最後轉變成透明，所以導體氮氧化鈦能夠取代金屬層，半導體氮氧化鈦可以做為太陽輻射吸收層，透明之絕緣氮氧化鈦則可做為抗反射層使用，因此以氮氧化鈦單一種材料即能夠建構半導體-金屬串聯結構之太陽能選擇性吸收層。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

04-22851811

網址