第二型混成吸收光偵測器

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

107125787

專利證號

I 722305

專利獲證名稱

第二型混成吸收光偵測器

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2021/03/21

技術說明

一種本發明展示了一種新型具有高功率性能在THz regime的超快速光偵測器（PD）。藉由基於在InP的單載子傳輸光偵測器（UTC-PD）結構中使用type-II GaAs0.5Sb0.5（p）/ In0.53Ga0.47As（i）混合吸收層，其響應性可以被提升由於窄帶隙和光吸收過程的增強在type-II界面的GaAs0.5Sb0.5和In0.53Ga0.47As吸收層之間。此外，電流阻塞效應通常是UTC-PD輸出功率的主要限制因素之一，但在這裡可以被忽略，由於從GaAs0.5Sb0.5層到InP based collector被注入光電子的過剩能量。覆晶式鍵合封裝在3 μm直徑的主動區元件，顯示適當響應度（0.11A / W）和記錄寬的3dB optical-to-electrical（OE）帶寬為0.33THz，以上所量測的波長在長波長（ 1.3-1.55 μm）PDs。在具有正弦的光信號和PD激發的〜63％調製深度下，在0.32THz的工作頻率下，13mA的飽和電流和連續波（CW）輸出功率高達-3dBm。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

網址