具有氧化鋅奈米片構造層之紫外光檢測器及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103122915

專利證號

I 532199

專利獲證名稱

具有氧化鋅奈米片構造層之紫外光檢測器及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立虎尾科技大學

獲證日期

2016/05/01

技術說明

氧化鋅材料(ZnO)具備寬能隙(wide bandgap)、透明度高(high optical transmittance)、低電阻率(low resistivity)、抗還原性佳且結晶溫度低等優點，大量的被應用於光電子元件上，是近年來最被廣泛研究的材料之一，其在一維(one-dimensional)奈米尺度的領域上，更是蓬勃發展。傳統上氧化鋅的奈米結構常常使用爐管(furnace)加高溫的方式來成長，不僅造成環境的汙染，也使得成本提高，不利於可撓式產品之生產。因此本計畫使用省能源、省成本的低溫水溶液製程(low temperature process)，將氧化鋅奈米結構成長於可撓式基板上並製作出效能更高、反應更快與撓曲特性佳的紫外光光檢測器(photodetector)。 ZnO is a wide direct band gap semiconductor with large exciton binding energy, high transparency, low resistivity, low crystallization temperature and good anti phase change property. Due to these characteristics, ZnO semiconductors are widely used to optoelectronic devices in recent years, one-dimensional nanotechnology, especially. In this proposal, we will also develop the photodetectors with properties of energy saving, cost reducing, higher efficiency and faster response. Besides, we will combine photo detectors and LEDs; photo detectors and gas sensors into one device, in the meanwhile, single wire devices is also one destination of our research. Thus, we hope this proposal can bring some contribution to our country.

備註

本會(收文號1120014479)同意該校112年3月9日虎科大智財字第1123400017號函申請終止維護專利(國立虎尾科技大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

(05)6315933

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