可電壓控制之光學元件及其製備方法controllable optical device and the forming method thereof

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/338,685

專利證號

US 8,848,149 B2

專利獲證名稱

可電壓控制之光學元件及其製備方法controllable optical device and the forming method thereof

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2014/09/30

技術說明

本案提出四種新型可控制光學元件電極及結構設計，將半導體材料導入液晶透鏡或液態透鏡元件之中，並搭配適當之電壓驅動方式，使得其具快速反應、低操作電壓、良好光學品質、更高可操作性等等優點。本案提出兩種主要結構—(1)以半導體層為高阻值層之透鏡元件，利用條狀電極結構，並在其上或間隙中利用半導體層作為高阻值(103至108歐姆-公分)層，如此可在半導體層上會有一等效電壓降分布在其上，則可形成一”半導體層等效似無限多微小控制電極”之概念，如此可使得在盒內電場分布更均勻，得到一具有更好光學品質或聚焦效果之元件；(2)利用類似TFT半導體結構之概念，加上一似閘極電極層控制流經半導體層之電流大小(如同半導體層之電阻率)之新型元件。此元件同樣也是利用條狀電極結構，只是不同於前述結構，其具有雙層電極結構，此第二層電極可為面電極或也為條狀電極結構。此第二層結構可稱為閘極電極，利用施加不同電壓在其上可適當調整流經條狀電極間隙(在電子學中稱為半導體通道)中之電流大小(如同調整其電阻率)，達到各種不同電壓分布結果；當在適當電壓操作下，流經半導體層之電流會達到一最大穩定值，此時半導體層也可等效為一面電極，此時可不需藉過驅動法即可達快速反應效果。 Four controllable optical devices that a layer of semiconductor is coated inside the cells: (1) An optical device include a high resistance layer which is formed by semiconductor is filled into the slits. Thus smoother potential distribution in the liquid layer can be obtained.; (2) Another device is combining the concept of traditional TFT device. An extra gate controlled layer is also fabricated inside the cell is sandwiched by the substrate and insulated layer. When applying different operating voltages on to the gate electrode, the current in the semiconductor layer can be adjusted. In addition, when applying a specific voltage on the gate electrode, the current will becomes steady even applying higher voltage further. That the semiconductor layer may be seemed as a plate electrode.

備註

本部(收文號1100065219)同意該校110年10月27日陽明交大研產學字第1100036963號函申請終止維護專利(陽明交大)

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