奈米陶瓷材料的製造方法Method of manufacturing nano ceramic material

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103129937

專利證號

I 555720

專利獲證名稱

奈米陶瓷材料的製造方法Method of manufacturing nano ceramic material

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2016/11/01

技術說明

碳化矽具有高硬度、高導熱性等特性，藉由不同的優異性能，應用在許多切割工具、耐磨零件和加熱元件等，除了大多都以微米級的大小來加工外，還可以製備出纖維狀和鬚晶狀奈米大小的碳化矽，可應用於半導體或LED上製程。本專利利用生質廢棄物做為碳源，利用植物本身所含的木質纖維素的碳，透過碳熱還原法直接生長出奈米碳化矽，並可外加入矽源進一步提升奈米碳化矽產量，透過此一方式有效高值化生質廢棄物，達到廢棄物再利用之效益。 Silicon carbide has different applications in many cutting tools, wear parts and heat devices, etc. due to its high hardness, high thermal conductivity, and other characteristics. Except preparing micron size silicon carbide for general use, the silicon carbide also manufactured in nanoscale texture, fiber or whisker, for applied on semiconductor or LED. This patent focuses on directly producing nano silicon carbide via carbothermal reduction method as using biomass waste as the carbon source. Moreover, extra fumed silica could be added to increase the yield of nano silicon carbide. Through the way, the biomass waste could effectively reuse and produce the high value silicon carbide.

備註

本部(收文號1090055217)同意該校109年9月1日成大產創字第1091106569號函申請終止維護專利(國立成功大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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連絡電話

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