大面積薄型單晶矽之製作技術

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100144941

專利證號

I 419202

專利獲證名稱

大面積薄型單晶矽之製作技術

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2013/12/11

技術說明

目前學術或產業界所使用的單/多晶矽薄膜製作技術多需要昂貴的磊晶設備或高溫製程，過程十分耗能。本專利使用簡單的化學溶液，並不需要額外的電力耗能便可達成大面積薄膜的製作，對業界的量產十分有優勢。加上這項技術可用在最近十分熱門的太陽能電池上，相信可對未來的綠色能源發展有很大的貢獻。此技術是採用金屬輔助蝕刻法製作有矽微奈米結構的單晶矽薄膜，並在矽微奈米結構的轉移後繼續使用剩下的矽晶圓基板，達到重複利用矽晶圓的回收效果。此專利使用的金屬輔助蝕刻因為是低溫製程，可在一般室溫下進行，且步驟簡單，只要能使用化學溶液的實驗室都能製作，因此我們的矽晶圓回收技術很適合大量生產。應用範圍包括太陽能電池，半導體製程，光電應用元件，鋰電池，生物科技，熱電裝置等技術。 For current fabrication methods of single/multiple crystalline silicon thin films, expensive epitaxial equipment is needed. In our method, large area thin foils can be obtained by simple chemical solutions. Moreover, the technology can be applied to solar cells, which are important due to energy crisis. The method we use is for producing a thin single crystal silicon foil having large surface area with micro or nanostructure. The residual substrate can be reused to achieve wafer recycling.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

網址